SWP100N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP100N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 128 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 679 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm
Encapsulados: TO220
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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SWP100N10A datasheet
swp100n10a.pdf
SW100N10A N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS 100V TO-220 High ruggedness ID 100A Low RDS(ON) (Typ 5.9m )@VGS=10V RDS(ON) 5.9m Low Gate Charge (Typ 127nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested Application Synchronous Rectification, 1 2 Li Battery Protect Board, Inverter 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S
swp100n10b.pdf
SW100N10B N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS 100V TO-220 High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 6.7m )@VGS=10V RDS(ON) 6.7m Low Gate Charge (Typ 106nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General
swp100r10vt swi100r10vt swu100r10vt.pdf
SW100R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-262 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-262 BVDSS 100V High ruggedness ID 69A Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V (Typ 9.5m )@VGS=10V RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 73nC) 9.5m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 3 3 3
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf
SW10N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-262 TO-262N TO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC) RDS(ON) 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 Application UPS,Inverter, 1 1 1 2 2 1 1 1
Otros transistores... SWP078R08ET, SWP085R06V7T, SWP085R06VT, SWP085R68E7T, SWP086R68E7T, SWP088R06VT, SWP088R08E8T, SWP090R08ET, 12N60, SWP100N10B, SWP100R10VT, SWP10N50K, SWP10N65D, SWP10N65K, SWP110R06VT, SWP11N65D, SWP13N50D
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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