SWP20N65K Todos los transistores

 

SWP20N65K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP20N65K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 297.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP20N65K datasheet

 ..1. Size:1121K  samwin
 swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf pdf_icon

SWP20N65K

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS 650V High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

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History: SGB100N042

 

 

 

 

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