SWP20N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWP20N65K
   Código: SW20N65K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 297.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 52 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 79 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SWP20N65K Datasheet (PDF)

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swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS : 650V High ruggedness ID : 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

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Liste

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