SP8076EL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8076EL
Código: 8076EL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 498 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: TSON3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SP8076EL
SP8076EL Datasheet (PDF)
sp8076el.pdf
GreenProductSP8076ELaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.4.0 @ VGS=10VSuface Mount Package.33V 27A 4.5 @ VGS=6VESD Protected.5.5 @ VGS=4.5VD 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3
sp8076e.pdf
GreenProductSP8076EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.3.8 @ VGS=10VSuface Mount Package.33V 27A4.9 @ VGS=6V ESD Protected.D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3ABSOLUTE MAX
sp8076.pdf
GreenProductSP8076aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.4.6 @ VGS=10VSuface Mount Package.33V 27A6.9 @ VGS=4.5V Pin 1TSON 3.3 x 3.3ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless otherwise noted)Symbol
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Liste
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