SP8076EL Todos los transistores

 

SP8076EL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8076EL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 33 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 498 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: TSON3.3X3.3

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SP8076EL datasheet

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SP8076EL

Green Product SP8076EL a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ Rugged and reliable. 4.0 @ VGS=10V Suface Mount Package. 33V 27A 4.5 @ VGS=6V ESD Protected. 5.5 @ VGS=4.5V D 5 4 G D 6 3 S 7 2 D S Pin 1 8 1 D S TSON 3.3 x 3.3

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SP8076EL

Green Product SP8076E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 3.8 @ VGS=10V Suface Mount Package. 33V 27A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected. D 5 4 G D 6 3 S 7 2 D S Pin 1 8 1 D S TSON 3.3 x 3.3 ABSOLUTE MAX

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SP8076EL

Green Product SP8076 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 4.6 @ VGS=10V Suface Mount Package. 33V 27A 6.9 @ VGS=4.5V Pin 1 TSON 3.3 x 3.3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol

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