SWP540 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP540
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SWP540 MOSFET
SWP540 Datasheet (PDF)
swd540 swp540 swf540.pdf
SW540 N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220/TO-220F MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-252 BVDSS : 100V ID : 32A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 32m)@VGS=10V RDS(ON) : 32m Low Gate Charge (Typ 48nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 1 Application: Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Pro
Otros transistores... SWP13N65K2 , SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , 2SK3568 , SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 .
History: SWP11N65D | SWP19N10
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM406MNQ | AGM406MNA | AGM406MBQ | AGM406MBP | AGM406AP | AGM405Q | AGM405MNA | AGM405MBP | AGM405F | AGM405DG | AGM405D | AGM405AP2 | AGM405AP1 | AGM405A | AGM404Q | AGM404D
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