SWP740D Todos los transistores

 

SWP740D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP740D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 183.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 161 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWP740D Datasheet (PDF)

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SWP740D

SW740D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F MOSFET Features BVDSS : 400V TO-220 TO-220F ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.4)@VGS=10V RDS(ON) : 0.4 Low Gate Charge (Typ 35nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 Application: LED, DC-DC 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description

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SWP740D

SW740DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-252 MOSFETFeaturesBVDSS : 400VTO-220TO-220F TO-252ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.4)@VGS=10VRDS(ON) : 0.4 Low Gate Charge (Typ 35nC)2 Improved dv/dt Capability 11 1 100% Avalanche Tested212 23 Application: LED, DC-DC 3 31. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3

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History: NCE6003XY | AM90N06-30P | NCE60N640 | NCE3N170PF | 2SJ361 | AP4506GEM | STP20N65M5

 

 
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