SWSA2N40D Todos los transistores

 

SWSA2N40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWSA2N40D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 9.26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWSA2N40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:940K  samwin
 swc2n40d swsa2n40d.pdf pdf_icon

SWSA2N40D

SW2N40D N-channel Enhanced mode TO-92/SOT223 MOSFET Features SOT223 TO-92 BVDSS : 400V ID : 2A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.8)@VGS=10V RDS(ON) : 2.8 Low Gate Charge (Typ 7nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:DC-DC,LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 T

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History: IRFB3806PBF | IPW60R299CP | VS3625DB | HM603BK | NDF08N60Z | SM6103PSU | P2610ADG

 

 
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