SWT45N65K2F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWT45N65K2F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 109 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Encapsulados: TO247
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SWT45N65K2F datasheet
swt45n65k2f.pdf
SW45N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 66m Low RDS(ON) (Typ 66m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS
swt45n65k2.pdf
SW45N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 61m Low RDS(ON) (Typ 61m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF
swt45n60k2f.pdf
SW45N60K2F N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 600V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 65m Low RDS(ON) (Typ 65m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOS
swt45n60k2.pdf
SW45N60K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 600V Features ID 45A High ruggedness RDS(ON) 60m Low RDS(ON) (Typ 60m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 74nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSF
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History: NTLGD3502N | WSF50N10
History: NTLGD3502N | WSF50N10
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