SWT69N65K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWT69N65K2
   Código: SW69N65K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 181 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 252 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWT69N65K2

SWT69N65K2 Datasheet (PDF)

..1. Size:596K samwin
swt69n65k2.pdf

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0.1. Size:612K samwin
swt69n65k2f.pdf

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Liste

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