SWU16N70K Todos los transistores

 

SWU16N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWU16N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SWU16N70K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1075K  samwin
 swu16n70k swb16n70k swf16n70k.pdf pdf_icon

SWU16N70K

SW16N70K N-channel Enhancement mode TO-262/TO-263/TO-220F MOSFET Features TO-262 TO-220F BVDSS : 700V TO-263 High ruggedness ID : 16A Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 0.23 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 Application: DC-DC,LED,PC 2 2 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. S

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History: VBZE06N03 | 2SJ106 | AM90P03-03P | SPD30N03S2L-10G | STQ2NK60ZR-AP | FQP10N20CTSTU

 

 
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