SWU16N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWU16N70K
   Código: SW16N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 278 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 42 nC
   Tiempo de subida (tr): 57 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

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SWU16N70K Datasheet (PDF)

..1. Size:1075K samwin
swu16n70k swb16n70k swf16n70k.pdf

SW16N70K N-channel Enhancement mode TO-262/TO-263/TO-220F MOSFET Features TO-262 TO-220F BVDSS : 700V TO-263 High ruggedness ID : 16A Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 0.23 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 Application: DC-DC,LED,PC 2 2 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. S

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: