SWU6N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWU6N65K
Código: SW6N65K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 192.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 32 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
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SWU6N65K Datasheet (PDF)
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SW6N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 /TO-220SF MOSFET Features TO251 TO220F TO251N TO252 TO262 TO220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 Applicat
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SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 TO-262 BVDSS : 800V TO-262N ID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10V RDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application:LED
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SW6N80DN-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-251N TO-220F TO-252 BVDSS : 800VTO-262 TO-262NID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10VRDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 211 1 1 1 100% Avalanche Tested22 2 2 233 3 3 3 Application:LED , Charger, SMPS1.
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
