S10H06R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S10H06R  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO220

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S10H06R datasheet

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S10H06R

S10H06R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=60A DC Motor Control Rds(on)(typ)=15m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

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S10H06R

S10H07M SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications V =100V,I =70A DS D DC Motor Control Rds(on)(typ)=9.2m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G S S Package

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S10H06R

S10H08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=9m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D S

Otros transistores... SWY10N65D, SWY12N65D, SWY4N60D, SWY640D, SWY7N65D, SWYN4N65DD, SWYN7N65D, SWYS069R10VS, IRF4905, S10H06RN, S10H06RP, S10H06S, S10H07M, S10H08R, S10H08RN, S10H08RP, S10H08S