S10H06RN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: S10H06RN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 89 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 269 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET S10H06RN

S10H06RN Datasheet (PDF)

..1. Size:2296K cn si-tech
s10h06r s10h06s s10h06rn s10h06rp.pdf

S10H06R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=60A DC Motor Control Rds(on)(typ)=15m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

9.1. Size:965K cn si-tech
s10h07m.pdf

S10H07MSI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures ApplicationsV =100V,I =70ADS DDC Motor ControlRds(on)(typ)=9.2m@Vgs=10VDC-DC Converters100% Avalanche TestedBMS100% Rg TestedSMPSLead-Free (RoHS Compliant)Automotive EnvironmentInternal Circuit and Pin DescriptionDDGGSSPackage

9.2. Size:2267K cn si-tech
s10h08r s10h08s s10h08rn s10h08rp.pdf

S10H08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=9m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD S

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Liste

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