S10H07M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S10H07M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 109 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
Carga de la puerta (Qg): 82 nC
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 367 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET S10H07M
S10H07M Datasheet (PDF)
s10h07m.pdf
S10H07MSI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures ApplicationsV =100V,I =70ADS DDC Motor ControlRds(on)(typ)=9.2m@Vgs=10VDC-DC Converters100% Avalanche TestedBMS100% Rg TestedSMPSLead-Free (RoHS Compliant)Automotive EnvironmentInternal Circuit and Pin DescriptionDDGGSSPackage
s10h06r s10h06s s10h06rn s10h06rp.pdf
S10H06R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=60A DC Motor Control Rds(on)(typ)=15m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
s10h08r s10h08s s10h08rn s10h08rp.pdf
S10H08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=9m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD S
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