S10H08R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S10H08R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 109 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de S10H08R MOSFET
S10H08R Datasheet (PDF)
s10h08r s10h08s s10h08rn s10h08rp.pdf

S10H08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=9m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD S
s10h07m.pdf

S10H07MSI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures ApplicationsV =100V,I =70ADS DDC Motor ControlRds(on)(typ)=9.2m@Vgs=10VDC-DC Converters100% Avalanche TestedBMS100% Rg TestedSMPSLead-Free (RoHS Compliant)Automotive EnvironmentInternal Circuit and Pin DescriptionDDGGSSPackage
s10h06r s10h06s s10h06rn s10h06rp.pdf

S10H06R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=60A DC Motor Control Rds(on)(typ)=15m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
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History: UTT18P10G-TN3-R | BL6N40-P | KNG3303A
History: UTT18P10G-TN3-R | BL6N40-P | KNG3303A



Liste
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