S10H12R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S10H12R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 516 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: TO220
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S10H12R datasheet
s10h12r s10h12s s10h12rn s10h12rp.pdf
S10H12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=120A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.5m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D
s10h18r s10h18s s10h18rn s10h18rp.pdf
S10H18R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=171A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.2m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D
s10h16r s10h16s s10h16rn s10h16rp.pdf
S10H16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=155A DC Motor Control Rds(on)(typ)=5m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D
Otros transistores... S10H06RN , S10H06RP , S10H06S , S10H07M , S10H08R , S10H08RN , S10H08RP , S10H08S , K3569 , S10H12RN , S10H12RP , S10H12S , S10H16R , S10H16RN , S10H16RP , S10H16S , S10H18R .
History: HY1707P
History: HY1707P
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