S10H12RN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S10H12RN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 223 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
Carga de la puerta (Qg): 112 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 516 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET S10H12RN
S10H12RN Datasheet (PDF)
s10h12r s10h12s s10h12rn s10h12rp.pdf
S10H12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=120A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
s10h18r s10h18s s10h18rn s10h18rp.pdf
S10H18R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=171A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.2m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
s10h16r s10h16s s10h16rn s10h16rp.pdf
S10H16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=100V,ID=155A DC Motor Control Rds(on)(typ)=5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
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