S10H18RN Todos los transistores

 

S10H18RN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S10H18RN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 171 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 871 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: TO220

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S10H18RN datasheet

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S10H18RN

S10H18R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=171A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.2m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

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S10H18RN

S10H16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=155A DC Motor Control Rds(on)(typ)=5m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

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S10H18RN

S10H12R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=100V,ID=120A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.5m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

Otros transistores... S10H12RN , S10H12RP , S10H12S , S10H16R , S10H16RN , S10H16RP , S10H16S , S10H18R , 5N65 , S10H18RP , S10H18S , S15H11R , S15H11RN , S15H11RP , S15H11S , S15H12R , S15H12RN .

History: SM2323PSA | SM4804DSK | SM7340EHKP | LPM2301B3F | 2SK3496-01MR | JCS4N60CB

 

 

 

 

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