S40N08M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S40N08M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 279 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET S40N08M
S40N08M Datasheet (PDF)
s40n08m.pdf
S40N08MSI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures ApplicationsV =40V,I =78ADS DDC Motor ControlRds(on)(typ)=6m@Vgs=4.5VDC-DC ConvertersRds(on)(typ)=4.8m@Vgs=10VBMS100% Avalanche TestedSMPS100% Rg TestedAutomotive EnvironmentLead-Free (RoHS Compliant)Internal Circuit and Pin Description
cs40n06.pdf
CS40N06N PD TC=25 150 W 1.2 W/ID VGS=10V,TC=25 40 AIDM 60 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.83 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 VRDS on VGS=10V,ID=20A 0.055 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V
ms40n06.pdf
MS40N06 60V N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION The MS40N06 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . The QM6006M6 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. FEATURES Ad
s40n09r s40n09s s40n09rn s40n09rp.pdf
S40N09R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=40V,ID=90A DC Motor Control Rds(on)(typ)=5.8m@Vgs=4.5V DC-DC Converters Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V BMS 100% Avalanche Tested SMPS 100% Rg Tested Automotive Environment Lead-Free (RoHS Compliant) Internal Circuit and Pin Description
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