S70N08ZS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S70N08ZS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 112 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 288 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
Encapsulados: TO263
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S70N08ZS datasheet
s70n08zr s70n08zs s70n08zrn s70n08zrp.pdf
S70N08ZR/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=70V,ID=80A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.8m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D
s70n08r s70n08s s70n08rn s70n08rp.pdf
S70N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=70V,ID=90A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D S
brcs70n08ip.pdf
BRCS70N08IP Rev.A Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici
s70n08r s70n08s s70n08rn s70n08rp.pdf
S70N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=70V,ID=90A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D S
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History: 2SK3096
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