S85N048S Todos los transistores

 

S85N048S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S85N048S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 164 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1645 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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S85N048S PDF Specs

 ..1. Size:275K  cn si-tech
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S85N048S

S85N048S SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=85V,ID=120A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.8m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G... See More ⇒

 8.1. Size:344K  cn si-tech
s85n042r s85n042s s85n042rn s85n042rp.pdf pdf_icon

S85N048S

S85N042R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=85V,ID=128A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.2m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D ... See More ⇒

 9.1. Size:719K  bruckewell
ms85n06.pdf pdf_icon

S85N048S

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MS85N06 60V N-Channel MOSFET FEATURES RDS(on) (Max 0.013 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 70nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175 C) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Absolute Maximum Ratings (Tc=25 C unless o... See More ⇒

 9.2. Size:169K  semihow
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S85N048S

Jan 2016 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 7 HRS85N08K ID = 110 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 75nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 7 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested Absol... See More ⇒

Otros transistores... S80N08S , S80N10RN , S80N10RP , S80N22T , S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , IRF1404 , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P .

 

 
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Liste

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