HGA100N12S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA100N12S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA100N12S datasheet

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HGA100N12S

HGA100N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-220F 8.3 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 49 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain TO-220F Pin2

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HGA100N12S

HGA100N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 8.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 49 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching

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HGA100N12S

HGA105N15M P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-220F 8.8 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 50 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit Drain Pin2

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