HGA100N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGA100N12S
Código: GA100N12S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 43 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 120 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 49 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 56 nC
Tiempo de subida (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 235 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0097 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA100N12S
HGA100N12S Datasheet (PDF)
hga100n12s.pdf
HGA100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-220F 8.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability49 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-220FPin2
hga100n12sl.pdf
HGA100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness49 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching
hga105n15m.pdf
HGA105N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-220F 8.8RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability50 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2
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Liste
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