HGA190N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGA190N15S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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HGA190N15S datasheet

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HGA190N15S

HGA190N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature TO-220F 16 RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching 35 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and High Speed Circuit P

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HGA190N15S

HGA190N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature 16.0 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19 RDS(on),typ VGS=4.5V m switching,Logic level 32.5 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and

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HGA190N15S

HGA195N15S P-1 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching 16 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 30 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit TO

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