HGA190N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGA190N15S
   Código: GA190N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 43 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 29 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGA190N15S

HGA190N15S Datasheet (PDF)

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hga190n15s.pdf

HGA190N15S P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeatureTO-220F 16RDS(on),typ m Optimized for high speed smooth switching35 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and High Speed CircuitP

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hga190n15sl.pdf

HGA190N15SL P-1150V N-Ch Power MOSFET150 VVDSFeature16.0RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19RDS(on),typ VGS=4.5V mswitching,Logic level 32.5 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg TestedApplication DC-DC Conversion Drain Hard Switching and

9.1. Size:954K cn hunteck
hga195n15s.pdf

HGA195N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching16RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability30 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitTO

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Liste

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