HGK012NE6A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

HGK012NE6A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGK012NE6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6011 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm

Encapsulados: TO-247

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HGK012NE6A datasheet

..1. Size:1004K cn hunteck
hgb012ne6a hgk012ne6a.pdf pdf_icon

, P-1 HGB012NE6A HGK012NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 1 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 417 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 180 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectification

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hgb016n06s hgk018n06s hgp019n06s.pdf pdf_icon

HGB016N06S , HGK018N06S P-1 HGP019N06S 60V N-Ch Power MOSFET Feature 60 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.45 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.67 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 340 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 120 A ID (Package Limited)

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hgb014n08a hgk014n08a.pdf pdf_icon

, P-1 HGB014N08A HGK014N08A 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 1.1 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 371 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 180 A ID (Package Limited) Lead Free Application Synchronous Rectificatio

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hgb019ne6a hgk019ne6a hgp019ne6a.pdf pdf_icon

HGB019NE6A HGP019NE6A , P-1 HGK019NE6A 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.35 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.55 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 1.65 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 363 A Lead Free, Halogen Free ID (Sillicon Limited) 180 A ID (Pack

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