SP4412 Todos los transistores

 

SP4412 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP4412
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSON3.3X3.3
 

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SP4412 Datasheet (PDF)

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SP4412

GreenProductSP4412aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.19 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 16A31 @ VGS=4.5V ESD Protected.D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3ABSOLUTE MAXIM

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SP4412

WSP4410 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP4410 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate 30V 4m 20A charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP4410 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous Prod

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