HGB028NE6A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGB028NE6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 172 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 181 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1501 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: TO-263

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HGB028NE6A datasheet

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HGB028NE6A

HGB028NE6A , HGP028NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature 65 V VDS High Speed Power Switching TO-263 2.3 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 2.6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 181 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain H

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HGB028NE6A

HGB028N08A , HGP028N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 2.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 2.9 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 182 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 120 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectif

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hgb021n08s hgk023n08s hgp024n08s.pdf pdf_icon

HGB028NE6A

, HGB021N08S HGK023N08S P-1 HGP024N08S 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching TO-263 1.75 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 1.92 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 2.00 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 290 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 205 A ID (Package Limited)

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hgb029n06sl hgp029n06sl.pdf pdf_icon

HGB028NE6A

HGB029N06SL HGP029N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 1.8 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level VGS=4.5V 2.7 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability 2.1 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness VGS=4.5V 3.0 RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 198 A ID (Si

Otros transistores... HGP027N10A, HGB027N10S, HGK029N10S, HGP030N10S, HGB027N12S, HGP027N12S, HGB028N08A, HGP028N08A, IRFP460, HGP028NE6A, HGB029N06SL, HGP029N06SL, HGB029NE4SL, HGP029NE4SL, HGB035N08A, HGP035N08A, HGB035N10A