HGB039N12S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGB039N12S
   Código: GB039N12S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 716 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB039N12S

HGB039N12S Datasheet (PDF)

..1. Size:925K cn hunteck
hgb039n12s hgk039n12s hgp039n12s.pdf

,HGB039N12S HGK039N12S P-1HGP039N12S120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Smooth Switching3.6RDS(on),TYP m Enhanced Body diode dv/dt capability197 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness180 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard

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hgb039n15m hgp039n15m.pdf

, P-1HGB039N15M HGP039N15M150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 3.2RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.6RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness206 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectificat

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hgb039n08a hgp039n08a.pdf

,HGB039N08A HGP039N08A P-180V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-220 3.2RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness196 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested180 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectific

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hgb039n08s hgk039n08s hgp039n08s.pdf

,HGB039N08S HGK039N08S P-1HGP039N08S80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 2.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 3.1RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 3.2RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested187 AID (Sillicon Limited) Lead Free120 AID (Package Limit

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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