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HGP045N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP045N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 137 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 773 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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Principales características: HGP045N15S

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HGP045N15S

, P-1 HGB045N15S HGK045N15S HGP045N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 4.1 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.1 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 194 A ID (Sillicon Limited) Lead Free 180 A ID (Package Limited)

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HGP045N15S

HGP045NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET 45 V VDS Feature 3.5 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.6 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 114 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SM

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HGP045N15S

, P-1 HGB043N15S HGK043N15S HGP043N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Smooth Switching TO-263 3.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 4.2 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 4.3 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 206 A ID (Sillicon Limited) Lead Free Application Synchronous

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HGP045N15S

HGB040N06SL HGP040N06SL P-1 , 60V N-Ch Power MOSFET 60 V VDS Feature 2.9 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level 4.1 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 3.2 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Avalanche Ruggedness 4.4 RDS(on),typ VGS=4.5V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A ID (Sillicon Limited)

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History: JMH65R110PCFD | JMSH040SAG

 

 
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