HGP070N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGP070N15S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGP070N15S
Principales características: HGP070N15S
hgb070n15s hgk070n15s hgp070n15s.pdf
HGB070N15S , HGK070N15S P-1 HGP070N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 5.9 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-247 6.1 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness TO-220 6.2 RDS(on),typ mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 140 A Lead Free ID Application Synchronous Rectification in SMPS
hgp070n12sl.pdf
HGP070N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 5.8 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 7.5 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 125 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS
hgb070n12s hgp070n12s.pdf
, P-1 HGB070N12S HGP070N12S 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching TO-263 6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 6 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 133 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain H
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Liste
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