HGP098N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGP098N10A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 262 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
Encapsulados: TO-220
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HGP098N10A datasheet
hgb098n10a hgp098n10a.pdf
HGB098N10A , P-1 HGP098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching RDS(on),typ TO-263 VGS=10V 8.8 mW Enhanced Body diode dv/dt capability RDS(on),typ TO-220 VGS=10V 9.0 mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70.7 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in
hgb098n10al hgp098n10al.pdf
, P-1 HGB098N10AL HGP098N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.1 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 8.4 RDS(on),typ VGS=10V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 11.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Lead Free, Halogen Free 68 A ID (Sil
hgp098n10s.pdf
HGP098N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 9.0 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 70 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Pin2 Hard Switching and High Speed Circuit TO-
hgb095ne4sl hgp095ne4sl.pdf
HGB095NE4SL , HGP095NE4SL P-1 45V N-Ch Power MOSFET Feature 45 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.6 RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 10.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 7.9 RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS=4.5V 11 RDS(on),typ m Lead Free, Halogen
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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