HGB115N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGB115N15S
Código: GB115N15S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 214 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 91 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 42 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 239 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0112 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGB115N15S
HGB115N15S Datasheet (PDF)
hgb115n15s hgp115n15s.pdf
HGB115N15S, HGP115N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature 150 VVDS High Speed Power Switching TO-263 9.4RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 9.7RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 91 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Swit
hgb110n10sl hgp110n10sl.pdf
HGB110N10SL , HGP110N10SL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.7RDS(on),typ TO-263 VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V10.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness9.0RDS(on),typ TO-220 VGS=10V m 100% UIS Tested, 100% Rg TestedVGS=4.5V11RDS(on),typ m Lead Free, Halog
hgb110n20s hgk110n20s hgp110n20s.pdf
,HGB110N20S HGK110N20S P-1HGP110N20S200V N-Ch Power MOSFETFeature200 VVDS High Speed Power Smooth SwitchingTO-263 9.1RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityTO-247 8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche RuggednessTO-220 9.4RDS(on),typ m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested132 AID (Sillicon Limited) Lead FreeApplication Synch
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