HGP155N15S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGP155N15S
Código: GP155N15S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 174 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 67 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 183 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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HGP155N15S Datasheet (PDF)
hgb155n15s hgp155n15s.pdf
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,HGB155N15S HGP155N15S P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature High Speed Power Smooth Switching 150 VVDS Enhanced Body diode dv/dt capability 13.5RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 67 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed Circuit
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