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HGP195N15S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGP195N15S
   Código: GP195N15S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0192 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGP195N15S

 

Principales características: HGP195N15S

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HGP195N15S

, P-1 HGB195N15S HGP195N15S 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching TO-263 16.0 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability TO-220 16.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 59 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain

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HGP195N15S

P-1 HGP195N15SL 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 17.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 20.0 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 53 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drai

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HGP195N15S

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HGP195N15S

HGP190N15SL P-1 150V N-Ch Power MOSFET 150 V VDS Feature 16.0 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed smooth 19 RDS(on),typ VGS=4.5V m switching,Logic level 69 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Application DC-DC Conversion Drain Hard Switching and H

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History: HGB195N15S

 

 
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