SP2700 Todos los transistores

 

SP2700 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SP2700
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SP2700 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  1
 sp2700.pdf pdf_icon

SP2700

GreenProductSP2700aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.210 @ VGS=10VSuface Mount Package.75V 2.5A250 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless o

 9.1. Size:109K  samhop
 sp2702.pdf pdf_icon

SP2700

GreenProductSP2702aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.513 @ VGS=10VSuface Mount Package.75V 1.6A614 @ VGS=4.5VESD Protected.5 4D2 G 26 3D2 S 2PIN1D1 7 2 G 18 1D1 S 1PDFN 5x6AB

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History: PD510BA | AOLF66610 | CSD17310Q5A | 2SK1336 | WSD4066DN | VS3618AE | SIZF914DT

 

 
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