HGI098N10AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGI098N10AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: TO-251

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HGI098N10AL datasheet

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HGI098N10AL

, P-1 HGD098N10AL HGI098N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 8.4 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 11.3 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 65.9 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectificati

 4.1. Size:961K  cn hunteck
hgd098n10a hgi098n10a.pdf pdf_icon

HGI098N10AL

, P-1 HGD098N10A HGI098N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 8.8 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 67 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Cir

 5.1. Size:967K  cn hunteck
hgd098n10sl hgi098n10sl.pdf pdf_icon

HGI098N10AL

HGD098N10SL , P-1 HGI098N10SL 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching, Logic Level 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 8.3 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 10.8 RDS(on),typ VGS=4.5V mW 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 67 A ID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification

 9.1. Size:986K  cn hunteck
hgd090ne6a hgi090ne6a.pdf pdf_icon

HGI098N10AL

HGD090NE6A , HGI090NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 7.8 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 57 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit

Otros transistores... HGI090NE6AL, HGD092NE6AL, HGD093N12SL, HGD095NE4SL, HGI095NE4SL, HGD098N10A, HGI098N10A, HGD098N10AL, AOD4184A, HGD098N10SL, HGI098N10SL, HGD100N12S, HGD100N12SL, HGD110N08A, HGI110N08A, HGD110N08AL, HGI110N08AL