HGD750N15ML MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGD750N15ML
   Código: GD750N15ML
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 11 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 37 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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HGD750N15ML Datasheet (PDF)

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hgd750n15ml hgi750n15ml.pdf

HGD750N15ML HGI750N15ML P-1,150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching, logic level63RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability72RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness18 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

4.1. Size:823K cn hunteck
hgd750n15m.pdf

HGD750N15M P-1150V N-Ch Power MOSFETFeature150 VVDS High Speed Power Switching65RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability18 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainTO-252Pin2 Power Tools

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Liste

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