HGD750N15ML Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGD750N15ML  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO-252

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HGD750N15ML datasheet

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HGD750N15ML

HGD750N15ML HGI750N15ML P-1 , 150V N-Ch Power MOSFET Feature 150 V VDS High Speed Power Switching, logic level 63 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 72 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 18 A ID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and

 4.1. Size:823K  cn hunteck
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HGD750N15ML

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