HGI080N08SL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGI080N08SL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 247 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-251

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HGI080N08SL datasheet

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HGI080N08SL

HGI080N08SL HGD080N08SL P-1 , 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level VGS=10V 6.3 RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability VGS=4.5V 8.7 RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness 85 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 70 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application

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HGI080N08SL

, P-1 HGD080N10A HGI080N10A 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching 6.7 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 88 A ID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in

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HGI080N08SL

HGD080N10AL , P-1 HGI080N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 7.0 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 9.1 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 83 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 70 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application

Otros transistores... HGD480N15M, HGI480N15M, HGD650N15S, HGD650N15SL, HGD750N15M, HGD750N15ML, HGI750N15ML, HGI050N10AL, IRF4905, HGD080N08SL, HGI090N06SL, HGD090N06SL, HGI120N10A, HGD120N10A, HGI120N10AL, HGD120N10AL, HGI130N12SL