HGD080N08SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGD080N08SL
Código: GD080N08SL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 247 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGD080N08SL
HGD080N08SL Datasheet (PDF)
hgi080n08sl hgd080n08sl.pdf
HGI080N08SL HGD080N08SL P-1,80V N-Ch Power MOSFETFeature80 VVDS High Speed Power Switching, Logic LevelVGS=10V6.3RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capabilityVGS=4.5V8.7RDS(on),typ m Enhanced Avalanche Ruggedness85 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
hgd080n10a hgi080n10a.pdf
, P-1HGD080N10AHGI080N10A100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching6.7RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability88 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in
hgd080n10al hgi080n10al.pdf
HGD080N10AL , P-1HGI080N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level7.0RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability9.1RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness83 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication
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