HGI120N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGI120N10A
   Código: GI120N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HGI120N10A

HGI120N10A Datasheet (PDF)

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hgi120n10a hgd120n10a.pdf

,HGI120N10A HGD120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching12.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability59 AID Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit DC/DC in

0.1. Size:964K cn hunteck
hgi120n10al hgd120n10al.pdf

,HGI120N10AL HGD120N10AL P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level11.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness60 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Drain Synchronous Rectific

7.1. Size:896K cn hunteck
hgd120n06sl hgi120n06sl.pdf

HGD120N06SL , HGI120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability12RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness47 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested35 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication

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