HGN070N12S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN070N12S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 438 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN070N12S datasheet

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HGN070N12S

HGN070N12S P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching 6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 99.3 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switc

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HGN070N12S

HGN070N12SL P-1 120V N-Ch Power MOSFET Feature 120 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 6 RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability 7.5 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness 99.3 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 60 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronou

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HGN070N12S

HGN077N10SL P-1 100V N-Ch Power MOSFET 100 V VDS Feature 6.4 RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching,Logic level 7.8 RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability 86 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 60 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application DC-

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