HGN120N06SL Todos los transistores

 

HGN120N06SL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGN120N06SL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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HGN120N06SL Datasheet (PDF)

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HGN120N06SL

HGN120N06SL P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level8.5RDS(on),typ VGS=10V m Enhanced Body diode dv/dt capability12RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness47 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested30 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous R

 7.1. Size:896K  cn hunteck
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HGN120N06SL

HGN120N10A P-1100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching12.0RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability50.8 AID (Silicon limited) Enhanced Avalanche Ruggedness45 AID (Package limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and

 7.2. Size:909K  cn hunteck
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HGN120N06SL

P-1HGN120N10AL100V N-Ch Power MOSFETFeature100 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level11.4RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability15.5RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness51 AID (Silicon limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested45 AID (Package Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous

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History: HSBB2627 | NTMFS4833NA

 

 
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