HGN170A10AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN170A10AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN170A10AL datasheet

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HGN170A10AL

HGN170A10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 34.8 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 28 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Re

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HGN170A10AL

P-1 HGN170N10AL 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 14 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 22 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 44 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 30 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rec

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