HGN230A10AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGN230A10AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HGN230A10AL datasheet

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HGN230A10AL

HGN230A10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 23 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain1

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HGN230A10AL

HGN230N10AL P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature 100 V VDS High Speed Power Switching, Logic Level 21.5 RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability 28 RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness 29 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 22.5 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous

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