HGT015N10S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGT015N10S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2657 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm

Encapsulados: TOLL

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HGT015N10S datasheet

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HGT015N10S

HGT015N10S P-1 100V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 100 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 1.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 446 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 360 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High S

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HGT015N10S

HGT016NE6A P-1 65V N-Ch Power MOSFET Feature High Speed Power Switching 65 V VDS Enhanced Body diode dv/dt capability 1.3 RDS(on),typ mW Enhanced Avalanche Ruggedness 355 A ID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 240 A ID (Package Limited) Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and H

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HGT015N10S

HGT019N08A P-1 80V N-Ch Power MOSFET Feature 80 V VDS High Speed Power Switching 1.6 RDS(on),typ mW Enhanced Body diode dv/dt capability 294 A ID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 240 A ID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen Free Application Synchronous Rectification in SMPS Drain Hard Switching and H

Otros transistores... HGS380N12S, HGS480N15M, HGS650N15S, HGS650N15SL, HGS750N15M, HGS750N15ML, HGT007NE6A, HGT009N08A, AO3400, HGT016NE6A, HGT019N08A, HGT022N12S, HGT025N10A, HGT035N12S, HGT041N15S, HGT055N15S, HGW053N06SL