HTJ1K3P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HTJ1K3P03
Código: 2J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTJ1K3P03
HTJ1K3P03 Datasheet (PDF)
htj1k3p03.pdf
HTJ1K3P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature100RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level140RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3.1 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pac
htj1k0p02.pdf
HTJ1K0P02 P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature83RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level110RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Packa
htj1k5p06.pdf
HTJ1K5P06P-160V P-Ch Power MOSFET-60 VVDSFeature125RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level160RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-2.2 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pa
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Liste
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