HTJ1K3P03 Todos los transistores

 

HTJ1K3P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HTJ1K3P03
   Código: 2J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.04 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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HTJ1K3P03 Datasheet (PDF)

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HTJ1K3P03
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HTJ1K3P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature100RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level140RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3.1 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pac

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htj1k0p02.pdf

HTJ1K3P03
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HTJ1K0P02 P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature83RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level110RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Packa

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HTJ1K3P03
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HTJ1K5P06P-160V P-Ch Power MOSFET-60 VVDSFeature125RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level160RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-2.2 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pa

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