HTJ1K3P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HTJ1K3P03
   Código: 2J
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.04 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 41 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HTJ1K3P03

HTJ1K3P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:538K cn hunteck
htj1k3p03.pdf

HTJ1K3P03 P-130V P-Ch Power MOSFET-30 VVDSFeature100RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level140RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3.1 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pac

9.1. Size:547K cn hunteck
htj1k0p02.pdf

HTJ1K0P02 P-120V P-Ch Power MOSFET-20 VVDSFeature83RDS(on),typ VGS=4.5V m High Speed Power Switching, Logic Level110RDS(on),typ VGS=2.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-3 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Packa

9.2. Size:572K cn hunteck
htj1k5p06.pdf

HTJ1K5P06P-160V P-Ch Power MOSFET-60 VVDSFeature125RDS(on),typ VGS=10V m High Speed Power Switching, Logic Level160RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Avalanche Ruggedness-2.2 AID (Sillicon Limited) Lead Free, Halogen FreeApplication Load Switches Hard Switching and High Speed Circuit BLDC MotorSOT-23DrainDS GateGPart Number Pa

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