SDU05N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SDU05N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 68 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 12.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 44 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDU05N04

SDU05N04 Datasheet (PDF)

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sdu05n04 sdd05n04.pdf

GreenProductSDU/D05N04aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.400V 4A 2.1 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERING INFORMATI

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sdu05n70 sdd05n70.pdf

GreenProduct SDU/D05N70aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.700V 5A 1.6 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN

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