SDU05N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDU05N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
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SDU05N04 datasheet
sdu05n04 sdd05n04.pdf
Green Product SDU/D05N04 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 400V 4A 2.1 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERING INFORMATI
sdu05n70 sdd05n70.pdf
Green Product SDU/D05N70 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 700V 5A 1.6 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERIN
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