SFB130N150AC2 Todos los transistores

 

SFB130N150AC2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFB130N150AC2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 553 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0133 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SFB130N150AC2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3129K  cn scilicon
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SFB130N150AC2

SFP133N150AC2, SFB130N150AC2 N-MOSFET 150V, 12.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS150V Very Low On-Resistance RDS(on)12.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Test

 9.1. Size:732K  cn scilicon
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SFB130N150AC2

SFP135N200C3,SFB132N200C3ENGN-MOSFET 200V, 11.3m, 95AFeatures Product Summary N-channel, normal levelVDS 200V Enhanced avalanche ruggednessRDS(on) 11.3m Maximum 175C junction temperatureID 95A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested DC/DC and AC/DC converters Brushed and BLDC Motor drive systems Battery powered systemsSFP135N2

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History: SSS1206 | SFT016N80C3 | SI9933ADY | IPD65R1K0CE | 18N10W | STFU16N65M2 | GSM4422

 

 
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