SDU02N60 Todos los transistores

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SDU02N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDU02N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 37 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252_DPAK

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SDU02N60 Datasheet (PDF)

1.1. sdu02n60 sdd02n60.pdf Size:155K _samhop

SDU02N60
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Green Product SDU/D02N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (Ω) Max Rugged and reliable. 600V 2A 4.7 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERIN

4.1. sdu02n70 sdd02n70.pdf Size:128K _samhop

SDU02N60
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Green SDU/D02N70 Product a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (Ω) Typ Rugged and reliable. 700V 2A 5 @VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERING

4.2. sdu02n25 sdd02n25.pdf Size:143K _samhop

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Green Product SDU/D02N25 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (Ω) Typ Rugged and reliable. 250V 2A 3.2 @ VGS=10V Suface Mount Package. G S SDU SERIES SDD SERIES TO - 252AA(D-PAK) TO - 251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)

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