SDU02N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDU02N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
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SDU02N60 datasheet
sdu02n60 sdd02n60.pdf
Green Product SDU/D02N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 600V 2A 4.7 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERIN
sdu02n25 sdd02n25.pdf
Green Product SDU/D02N25 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 250V 2A 3.2 @ VGS=10V Suface Mount Package. G S SDU SERIES SDD SERIES TO - 252AA(D-PAK) TO - 251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)
sdu02n70 sdd02n70.pdf
Green SDU/D02N70 Product a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 700V 2A 5 @VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERING
Otros transistores... SDU04N65 , FDT3N40 , SDU04N60 , FDT434P , FDT458P , FDT86102LZ , SDU03N04 , FDT86106LZ , IRF640N , FDT86113LZ , SDU02N25 , FDT86244 , FDT86246 , FDU3N40 , SDT03N04 , FDV305N , FDY1002PZ .
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