SFP120N120B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP120N120B
Código: 120N120B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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SFP120N120B Datasheet (PDF)
sfp120n120b sfb120n120b.pdf
SFP120N120B,SFB120N120B N-MOSFET 120V, 7.5m, 120AProduct SummaryFeaturesVDS120V Reliable and RuggedRDS(on) typ. 7.5m Lead Free and Green Devices AvailableID120A(RoHS Compliant)100% DVDS TestedpplicationsA100% Avalanche TestedSwitching application Power Management for Inverter Systems.SFP120N120B SFB120N120BN-Channel MOSFETPackage Mar
sfp120n80a sfb120n80a sfp066n80ac3 sfb063n80ac3.pdf
SFP120N80A,SFB120N80ASFP066N80AC3,SFB063N80AC3 N-MOSFET 80V, 5.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS80V Very Low On-Resistance RDS(on)5.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100
sfp12n65.pdf
SFP12N65SFP12N65SFP12N65SFP12N65Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 12A,650V,RDS(on)(Max0.78)@VGS=10V Ultra-low Gate Charge(Typical 30nC) Fast Switching Capability 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin
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