SFP135N200C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP135N200C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 95 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 83 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 401 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFP135N200C3
SFP135N200C3 Datasheet (PDF)
sfp135n200c3 sfb132n200c3.pdf
SFP135N200C3,SFB132N200C3ENGN-MOSFET 200V, 11.3m, 95AFeatures Product Summary N-channel, normal levelVDS 200V Enhanced avalanche ruggednessRDS(on) 11.3m Maximum 175C junction temperatureID 95A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested DC/DC and AC/DC converters Brushed and BLDC Motor drive systems Battery powered systemsSFP135N2
sfp13n50.pdf
SFP13N50SFP13N50SFP13N50SFP13N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 13A,500V, R (Max0.46)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce
sfp133n150ac2 sfb130n150ac2.pdf
SFP133N150AC2, SFB130N150AC2 N-MOSFET 150V, 12.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS150V Very Low On-Resistance RDS(on)12.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Test
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