SFQ030N100C3 Todos los transistores

 

SFQ030N100C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFQ030N100C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247PLUS
 

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SFQ030N100C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7791K  cn scilicon
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SFQ030N100C3

SFQ030N100C3 N-MOSFET 100V, 1.8m, 200AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS100V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 1.8m Qualified according to JEDEC criteria ID200A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ030N100C3

 7.1. Size:8324K  cn scilicon
 sfq030n80c2.pdf pdf_icon

SFQ030N100C3

SFQ030N80C2 N-MOSFET 80V, 2.1m, 190AFeatures Product Summary Extremely low on-resistance RDS(on)VDS80V Excellent QgxRDS(on) product(FOM)RDS(on) typ. 2.1m Qualified according to JEDEC criteria ID190A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive Battery management UPS (Uninterrupible Power Supplies)SFQ030N80C2Pa

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History: SFP60N100 | PJP4NA65 | SQ3987EV

 

 
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